СОЛАР ДОТС

Члены коллектива обладают передовым опытом и приоритетными результатами в области создания массивов КТ и каскадных ФЭП. Исследования полупроводниковых ФЭП ведется с 1980х гг. Авторами проекта впервые в России были разработаны высокоэффективные двухпереходные GaInP/GaAs и трехпереходные GaInP/Ga(In)As/Ge ФЭП. Были предложены оригинальные методы формирования бездислокационных массивов КТ и разработаны способы управляемого изменения их характеристик в процессе эпитаксиального осаждения. Данные подходы позволяют выращивать массивы КТ высокой плотности и однородности, обладающие высоким усилением/поглощением, при этом длина волны излучения таких структур может варьироваться в широком оптическом диапазоне от 900 нм до 1350 нм. В 1993 году впервые в мире были созданы лазеры на квантовых точках. В дальнейшем были продемонстрированы их преимущества по сравнению с лазерами на квантовых ямах: сверхнизкая пороговая плотность тока, рекордная дифференциальная эффективность и выходная мощность в диапазоне длин волн 1.2-1.3 мкм, высокая температурная стабильность, сверхширокие спектры лазерной генерации, высокое время жизни, малое значение фактора уширения линии, и др.