О компании

«Тонкопленочные технологии» — один из ведущих разработчиков в мире технологии серийного производства полупроводниковых тонкопленочных чувствительных элементов, применяемых для производства датчиков давления. Уникальные технологии производства полупроводниковых тензочувствительных элементов, отличающихся высокой чувствительностью и рекордно низким уровнем шумов, использует полезные свойства моно халькогенидов редкоземельных металлов.

В числе основателей и команды - представители школы космического приборостроения СССР, опытные руководители и инвесторы.

Цель компании - создание и внедрение у ряда российских и зарубежных производителей датчиков промышленной технологии синтеза высокотемпературного многослойного тонкопленочного покрытия для тензометрических элементов, с рабочим диапазоном температур от 320 до 550 градусов Цельсия.

За время работы с 2012 года провели разработку нескольких модификаций технологии синтеза полупроводниковых высокотемпературных увствительных элементов, разработали и оформили в соответствии с отраслевыми стандартами ряд сопутствующих технологий. Разработаны сопутствующие переделы, например, специализированные программно-аппаратные комплексы для поверки и калибровки производимых по технологии компании датчиков.

Решениями пользуются ведущие производители силовых установок, гидравлических и пневматических систем, узлов и агрегатов авиационной техники и энергетических силовых установок, в их числе предприятия дочерних концернов ГК Ростех, АО РосАтом и др.

manager
Проектный менеджерНикита Кузнецов
manager
Проектный менеджерНикита Кузнецов

Проекты

Создание технологии синтеза высокотемпературного многослойного тонкопленочного функционального покрытия для тензометрических преобразователей физических величин
Описание проекта
Особенностью существующего технологического уклада и "Индустрии 4.0" является интенсификация производственных процессов и повышение их безопасности. Это приводит к росту требований уровня автоматизации и безопасности и, как следствие, развитию рынка АСУТП. Возросли требования к датчикам давления – они должны работать при одновременном воздействии ряда факторов: высоких температурах (350С и выше), низких температурах (-65С и ниже), широкополосных вибрациях и других. С развитием рынка СПГ и применения жидкого водорода трубется долговременная стабильность при -196С. Кремниевые технологии производства датчиков либо вовсе не обеспечивают таких характеристик, либо обладают неприемлемым соотношением цена/качество. Компания в результате многолетних НИР и ОКР разработала уникальные технологии производства полупроводниковых тензо-элементов на базе тонкопленочных гетерогенных наноструктур редкоземельных металлов, отличающихся высокой чувствительностью и рекордно низким уровнем шумов. Разработаны конструктивы, сопутствующие технологические решения метрологии. Технология имеет промышленное внедрение, непрерывно совершенствуется. Возможно производство чувствительных элементов датчиков по модели ОЕМ. Технология запатентована, ключевые производственные решения охраняются в режиме ноу-хау. Целью проекта является постановка разработанной технологии в ряде отечественных и зарубежных компаний, а также разработка решений на базе данной технологии для производителей датчиковой аппаратуры.
Потребности
Потребители продукции/Клиенты
Выход на международные рынки
Свернуть

Финансовая поддержка

Компания поддержана институтами развития:
ФОНД «СКОЛКОВО»
86 324 535 ₽

Руководитель

ЛОБЦОВВИКТОРАЛЕКСАНДРОВИЧ
Генеральный директор

Маркетинговые материалы

Презентации

Интеллектуальная собственность

2018 год
Изобретение 2646545ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ РЕЗИСТОР
Иное
Изобретение 2658089ДАТЧИК ДЕФОРМАЦИИ
Изобретение 2655698ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ РЕЗИСТОР

Информация о компании

ОРН
1120375
ИНН
7729721719
ОГРН
1127747037659
КПП
773101001
Статус
Действующая
Учредители
РОДИН ИЛЬЯ ЮРЬЕВИЧ
ПАХОМОВ ДЕНИС СЕРГЕЕВИЧ
РУБИНШТЕЙН КОНСТАНТИН ГРИГОРЬЕВИЧ
ЛОБЦОВ ВИКТОР АЛЕКСАНДРОВИЧ
ЩЕПИХИН АЛЕКСАНДР ИВАНОВИЧ
УЛЬКИН ГРИГОРИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ
Уставный капитал
39 855.07
121205, ГОРОД МОСКВА, ТЕР СКОЛКОВО ИННОВАЦИОННОГО ЦЕНТРА, Б-Р БОЛЬШОЙ, Д. 42, СТР. 1, ЭТАЖ 1 ПОМ 334 Р.М. 32