КРИСТАЛСНОРД

О компании

Компанией CrystalsNord разработана собственная ОТФ-технология роста монокристаллов групп А2В6 и А3В5 и ростовое оборудование. ОТФ-технология обеспечивает кратное увеличение производительности и, соответственно, снижение себестоимости, недоступное существующим в мире технологиям. ОТФ-технология запатентована и надежно защищена know-how.

Созданная лабораторная ОТФ-установка роста монокристаллов и ее инфраструктура позволяет выращивать до 300 куб.см монокристаллов в месяц. Имеются все последующие этапы резки, шлифовки, полировки, химического травления монокристаллов.

Выращиваются монокристаллы CdZnTe (CZT) спектрального качества, ведется разработка детекторов и приборов регистрации ионизирующих излучений на их основе.

Проектный менеджерНикита Кузнецов

Проекты

Бизнес-модель

Бизнес для Бизнеса (B2B)Бизнес для Государства (B2G)

Описание проекта

Лабораторная ОТФ-технология роста кристаллов CdTe, CdZnTe диаметром 50 мм показала повышение процента выхода годных в 3-4 раза по сравнению с традиционными методами, что для диаметра кристалла 250 мм даст снижение себестоимости продукции до 20$/куб.см (мировая цена 1000 – 2000$/куб.см). Цель проекта – разработать промышленную ОТФ-технологию выращивания крупногабаритных кристаллов CdTe, CdZnTe, ZnTe, линейку детекторов ядерных излучений, множество пиксельных детектирующих модулей и приборов на их основе.

Конкурентные преимущества проекта и компании

Преимущества ОТФ-технологии обеспечиваются слабыми ламинарными течениями расплава вдоль фронта кристаллизации (космические условия на земле), и контролируемым ростом при высоком градиенте температур. Это дает возможность получения высококачественных монокристаллов больших диаметров при высоких скоростях роста.

Финансовая поддержка

Компания поддержана институтами развития:

ФОНД «СКОЛКОВО»

8 881 505 ₽

Руководитель

ЯКОВЛЕВАЛЕКСЕЙВЛАДИМИРОВИЧ

ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР

Интеллектуальная собственность

2017 год
Изобретение 2633899 СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ CD<SUB>1-X</SUB>ZN<SUB>X</SUB>TE, ГДЕ 0≤X≤1, НА ЗАТРАВКУ ПРИ ВЫСОКОМ ДАВЛЕНИИ ИНЕРТНОГО ГАЗА